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IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調試工作等，都與IGBT有密切的內在聯(lián)系...

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、...

在供電系統(tǒng)中，MOS管的主要作用的是穩(wěn)壓。MOS管芯片在制作完成之后，需要給MOSFET芯片加上一個外殼，即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用，同時還為芯片提供電氣連接和隔...

MOS管導通特性，導通的意義是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適宜用于源極接地時的情況（低端驅動），只需柵極電壓抵達4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小...

MOS場效應晶體管通常簡稱為場效應管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，場效應管的品種很多，主要分為結...

MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導體。MOS管的Source和Drain是可以對調的...

MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬于場效應管中的絕緣柵型。因此，M...

MOS具有以下特點：開關速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無二次擊穿問題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點就是能夠減少體積大小與重量，提供給設計者一種高速度、高功率...

mos管在電路中一般用作電子開關，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是M...

IGBT最常見的應用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應用于中小功率變頻系統(tǒng)。IGBT模塊主要有五種結構。以2 ...